S-PIN固態等離子體頻率可重構芯片天線研究

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S-PIN固態等離子體頻率可重構芯片天線研究
論文目錄
 
摘要第1-5頁
ABSTRACT第5頁
縮略詞第13-14頁
第一章 緒論第14-25頁
    1.1 研究背景和意義第14頁
    1.2 固態等離子體可重構天線國內外研究現狀第14-23頁
        1.2.1 固態等離子體可重構天線國外研究現狀第14-20頁
        1.2.2 固態等離子體可重構天線國內研究現狀第20-23頁
    1.3 本文的主要工作及章節安排第23-25頁
第二章 固態等離子體芯片天線理論第25-35頁
    2.1 引言第25頁
    2.2 天線基本理論第25-26頁
    2.3 半導體理論第26-28頁
        2.3.1 本征半導體第26-27頁
        2.3.2 非本征半導體第27頁
        2.3.3 固態等離子體半導體材料的選擇第27-28頁
    2.4 固態等離子體理論第28-34頁
        2.4.1 固態等離子體分類第28-29頁
        2.4.2 固態等離子體的形成機理與工作機制第29-30頁
        2.4.3 固態等離子體的物理模型第30-32頁
        2.4.4 固態等離子體的特性參數第32-34頁
    2.5 本章小結第34-35頁
第三章 雙S-PIN固態等離子體設計與優化第35-52頁
    3.1 引言第35頁
    3.2 S-PIN與雙S-PIN固態等離子體第35-36頁
    3.3 雙S-PIN固態等離子體設計第36-39頁
        3.3.1 雙S-PIN固態等離子體幾何尺寸設計第36-39頁
    3.4 雙S-PIN固態等離子體優化第39-50頁
        3.4.1 等離子體區高度對載流子濃度和功耗影響第40-41頁
        3.4.2 I區寬度對載流子濃度和功耗影響第41-44頁
        3.4.3 P~+區和N~+區結深對載流子濃度和功耗影響第44-45頁
        3.4.4 雙S-PIN固態等離子體各區摻雜濃度設計第45-46頁
        3.4.5 硅片電阻率的選擇第46-50頁
    3.5 雙S-PIN固態等離子體幾何尺寸、摻雜濃度與電阻率說明第50-51頁
    3.6 本章小結第51-52頁
第四章 雙S-PIN固態等離子體特性研究第52-67頁
    4.1 引言第52頁
    4.2 雙S-PIN固態等離子體半導體特性研究第52-59頁
        4.2.1 雙S-PIN固態等離子體電勢分布第53頁
        4.2.2 載流子濃度隨偏置電壓變化關系第53-54頁
        4.2.3 不同正向偏壓下載流子濃度分布第51-55頁
        4.2.4 正向伏安特性第55-56頁
        4.2.5 雙S-PIN固態等離子體功耗第56-57頁
        4.2.6 雙S-PIN固態等離子體熱分析第57-59頁
    4.3 固態等離子體在電磁波中的等效模型第59-61頁
        4.3.1 Drude模型第59-60頁
        4.3.2 電導率模型第60-61頁
    4.4 雙S-PIN固態等離子體開關特性研究第61-64頁
        4.4.1 雙S-PIN固態等離子體開關建模第61-62頁
        4.4.2 Drude模型與電導率模型雙S-PIN開關特性對比第62-64頁
    4.5 S-PIN固態等離子體制造工藝第64-65頁
    4.6 雙S-PIN固態等離子體流片加工與伏安特性測試第65-66頁
    4.7 本章小結第66-67頁
第五章 S-PIN固態等離子體頻率可重構芯片天線及陣列設計第67-113頁
    5.1 引言第67頁
    5.2 X與Ka波段S-PIN頻率可重構芯片天線單元第67-91頁
        5.2.1 X與Ka波段S-PIN頻率可重構芯片天線單元工作原理第69-70頁
        5.2.2 X與Ka波段S-PIN芯片天線單元結構參數設計第70-76頁
        5.2.3 X與Ka波段S-PIN芯片天線單元輻射特性分析第76-80頁
        5.2.4 提高S-PIN芯片天線輻射性能方法研究第80-86頁
        5.2.5 X與Ka波段S-PIN芯片天線單元測試板設計第86-91頁
    5.3 X與Ka波段S-PIN頻率可重構芯片天線陣列第91-102頁
        5.3.1 X與Ka波段S-PIN頻率可重構芯片天線陣列工作原理第91-92頁
        5.3.2 X與Ka波段S-PIN頻率可重構芯片天線陣列結構參數設計第92-96頁
        5.3.3 X與Ka波段S-PIN芯片天線陣列輻射特性分析第96-101頁
        5.3.4 X與Ka波段S-PIN芯片天線陣列測試板設計第101-102頁
    5.4 X與Ka波段S-PIN頻率可重構芯片天線版圖設計與實物加工第102-104頁
    5.5 X與Ku波段S-PIN頻率可重構芯片天線第104-110頁
        5.5.1 X與Ku波段S-PIN頻率可重構芯片天線工作原理第106頁
        5.5.2 X與Ku波段S-PIN芯片天線結構參數設計第106-107頁
        5.5.3 X與Ku波段S-PIN芯片天線輻射特性分析第107-110頁
    5.6 S-PIN固態等離子體天線測試系統第110-112頁
        5.6.1 外圍控制系統設計第110-111頁
        5.6.2 天線頻率重構性與輻射特性測試方法第111-112頁
    5.7 本章小結第112-113頁
第六章 展望與總結第113-115頁
    6.1 總結第113-114頁
    6.2 展望第114-115頁
參考文獻第115-120頁
致謝第120-121頁
在學期間的研究成果及發表的學術論文第121-122頁

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